DMC3021LK4-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-5

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.4 A, 6.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 mOhms, 53 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.75 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.7 mm

Serie:

DMC3021

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

6.2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.5 S

Abfallzeit:

6.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMC3021, DMC302, DMC30, DMC3, DMC