IPA80R650CEXKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

560 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

33 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.15 mm

Länge:

10.65 mm

Serie:

CoolMOS CE

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.85 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

IPA80R650CE SP001286432

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPA80R650CEX, IPA80R65, IPA80R6, IPA8, IPA