SQP120N06-3m5L_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

330 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

375 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQP

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

190 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

83 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

SQP120N0, SQP120N, SQP12, SQP1, SQP