IPB80P04P4L-06

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

104 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

88 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

44 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

61 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Teil # Aliase:

IPB80P04P4L06ATMA1 IPB8P4P4L6XT SP000842046

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB80P04P4L-0, IPB80P04P4L, IPB80P04, IPB80P, IPB8, IPB