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PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ
Mfr. #:
PSMN6R3-120ESQ
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
PSMN6R3-120ESQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
PSMN6R3-120ESQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Nexperia
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
120 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
6.7 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
207.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
405 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Nexperia
Abfallzeit:
67.7 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
58.2 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
142.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
42.1 ns
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
PSMN6, PSMN, PSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***peria
PSMN6R3-120ES - N-channel 120 V 6.7 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
***et
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin I2PAK Rail
PSMN N-Channel MOSFETs
Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low QG, QGD, and QOSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low RDS(on) and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
PSMN6R3-120ESQ
DISTI # 1727-1508-ND		NexperiaMOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		450In Stock
  • 100:$1.7406
  • 50:$2.0430
  • 10:$2.1660
  • 1:$2.4100
PSMN6R3-120ESQ
DISTI # PSMN6R3-120ESQ		NexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin I2PAK Rail - Bulk (Alt: PSMN6R3-120ESQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 305
Container: Bulk		Americas - 0
  • 3050:$0.9869
  • 1525:$1.0119
  • 915:$1.0369
  • 610:$1.0639
  • 305:$1.0779
PSMN6R3-120ESQ
DISTI # PSMN6R3-120ESQ		NexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: PSMN6R3-120ESQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tube		Americas - 0
  • 50000:$0.9839
  • 25000:$1.0079
  • 15000:$1.0339
  • 10000:$1.0609
  • 5000:$1.0749
PSMN6R3-120ESQ
DISTI # 771-PSMN6R3120ESQ		NexperiaMOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
RoHS: Compliant		0
    PSMN6R3-120ESQNXP SemiconductorsNow Nexperia PSMN6R3-120ESQ - Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Not Compliant    		967
    • 1000:$1.0800
    • 500:$1.1400
    • 100:$1.1800
    • 25:$1.2300
    • 1:$1.3300
    Bild Teil # Beschreibung
    PSMN6R3-120PS

    Mfr.#: PSMN6R3-120PS

    OMO.#: OMO-PSMN6R3-120PS

    		 MOSFET N-Channel MOSFET
    PSMN6R3-120ESQ

    Mfr.#: PSMN6R3-120ESQ

    OMO.#: OMO-PSMN6R3-120ESQ

    		 MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
    PSMN6R3-120ESQ

    Mfr.#: PSMN6R3-120ESQ

    OMO.#: OMO-PSMN6R3-120ESQ-NEXPERIA

    		 MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
    PSMN6R3-120PS

    Mfr.#: PSMN6R3-120PS

    OMO.#: OMO-PSMN6R3-120PS-NEXPERIA

    		 Darlington Transistors MOSFET N-Channel MOSFET
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    Available
    Auf Bestellung:
    2500
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    Menge
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    ext. Preis
    1
    2,41 $
    2,41 $
    10
    2,05 $
    20,50 $
    100
    1,64 $
    164,00 $
    500
    1,44 $
    720,00 $
    1000
    1,19 $
    1 190,00 $
    2500
    1,11 $
    2 775,00 $
    5000
    1,07 $
    5 350,00 $
    10000
    1,03 $
    10 300,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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