FDU6N25

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Serie:

FDU6N25

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.5 S

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

5040

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.019013 oz

Tags

FDU6N, FDU6, FDU