2N5551RL1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

180 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N5551

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.6 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

80

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N5551R, 2N5551, 2N555, 2N55, 2N5