STP75N75F4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

78 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Qg - Gate-Ladung:

76 nC

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

STP75N75F4

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

61 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP75N7, STP75, STP7, STP