QH8KA1TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSMT-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

56 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

3 nC, 3 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.7 S, 1.7 S

Abfallzeit:

3.5 ns, 3.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.5 ns, 7.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns, 10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 5 ns

Teil # Aliase:

QH8KA1

Tags

QH8KA, QH8K, QH8