IPB47N10S-33

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

47 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

175 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

SIPMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

SIPMOS

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

63 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

IPB47N10S33ATMA1 IPB47N1S33XT SP000225702

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB47N10S, IPB47, IPB4, IPB