MJE210TG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-225-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

8 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.8 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

65 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

11.04 mm (Max)

Länge:

7.74 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.66 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

70

Pd - Verlustleistung:

15 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

MJE21, MJE2, MJE