NX1029XH

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-666-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V, 50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

330 mA, 170 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 Ohms, 1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

0.5 nC, 0.26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

390 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

7 ns, 25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns, 11 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns, 48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 13 ns

Teil # Aliase:

934065643125

Tags

NX1029X, NX1029, NX102, NX10, NX1