TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ
Mfr. #:
TK100L60W,VQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK100L60W,VQ Datenblatt
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3PL-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
15 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
360 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
797 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
26 mm
Länge:
20 mm
Serie:
TK100L60
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
125 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
130 ns
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
690 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
230 ns
Gewichtseinheit:
0.245577 oz
Tags
TK100L, TK100, TK10, TK1
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Packaging Boxes
***et
DTMOSIV(WITH FAST DIODE)_600V_18MOHM MAX(VGS=10V)_TO-3P(L)
***roFlash
Mosfet N Ch 600V 100A TO3P(L)
***
100V 18M OHM VGS=10V TO-3P(L)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
179
Auf Bestellung:
2162
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35,88 $
5
29,80 $
149,00 $
10
29,57 $
295,70 $
25
28,96 $
724,00 $
50
28,66 $
1 433,00 $
100
28,51 $
2 851,00 $
250
26,26 $
6 565,00 $
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