IRLS3036TRRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

91 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

380 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

340 S

Abfallzeit:

110 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

220 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001553300

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRLS3036T, IRLS3036, IRLS303, IRLS30, IRLS3, IRLS, IRL