2N6551

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-202-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

375 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N6551

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 50 mA, 1 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 500 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

10 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N6551 PBFREE

Tags

2N655, 2N65, 2N6