IXTT2N170D2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.7 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

110 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

568 W

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.1 mm

Länge:

14 mm

Serie:

IXTT2N170

Typ:

MOSFET im Verarmungsmodus

Breite:

16.05 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.4 S

Abfallzeit:

106 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

58 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTT2, IXTT, IXT