HFA3102BZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

Y

Serie:

HFA3102

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

NPN

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

8 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

12 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.03 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 85 C

Aufbau:

Verhexen

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-14

Verpackung:

Rohr

Kollektor- Basisspannung VCBO:

12 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40 at 10 mA at 3 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

8.65 mm

Arbeitsfrequenz:

10000 MHz (Typ)

Typ:

Bipolares HF-Kleinsignal

Breite:

3.9 mm

Marke:

Renesas / Intersil

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

10000 MHz (Typ)

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.03 A

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004586 oz

Tags

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