CJD350 TR13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2.6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

750 mA

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

10 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CJD350

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240 at 50 mA, 10 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

500 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 50 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

15 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

CJD350T, CJD350, CJD35, CJD3, CJD