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DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7
Mfr. #:
DMN13M9UCA6-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN13M9UCA6-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal, NPN
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
500 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
4.5 V
Qg - Gate-Ladung:
56.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2.67 W
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erweiterung
Transistortyp:
2 N-Channel
Marke:
Eingebaute Dioden
Abfallzeit:
6208 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
1694 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
4749 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
603 ns
Tags
DMN13, DMN1, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN3518 T/R
***i-Key
MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
Bild Teil # Beschreibung
DMN13M9UCA6-7

Mfr.#: DMN13M9UCA6-7

OMO.#: OMO-DMN13M9UCA6-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2500
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0,97 $
10
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8,27 $
100
0,64 $
63,60 $
500
0,56 $
281,00 $
1000
0,44 $
444,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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