PZT3906T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

250 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

1.69 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

PZT3906T, PZT3906, PZT39, PZT3, PZT