RN2118MFV(TPL3)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

Bipolartransistoren – vorgespannt

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

PNP

Typischer Eingangswiderstand:

47 kOhms

Typisches Widerstandsverhältnis:

4.7

Montageart:

SMD/SMT

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 50 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 100 mA

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

RN2118

Verpackung:

Spule

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 25 V

Höhe:

1.2 mm

Länge:

1.2 mm

Betriebstemperaturbereich:

- 65 C to + 150 C

Typ:

PNP-Epitaxie-Siliziumtransistor

Breite:

0.5 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

RN2118MFV(T, RN2118M, RN2118, RN211, RN21, RN2