IXFG55N50

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

400 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.42 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXFG55N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Gewichtseinheit:

0.264555 oz

Tags

IXF