ZTX855

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

250 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

210 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

90 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZTX855

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZTX855, ZTX85, ZTX8, ZTX