FDMS3660AS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V, 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

21 nC, 64 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W, 2.5 W

Aufbau:

Dual

Handelsname:

Power-Stage PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

FDMS3660AS

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

173 S, 240 S

Abfallzeit:

3 ns, 5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns, 5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns, 38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 12 ns

Gewichtseinheit:

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM