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BSC060N10NS3

BSC060N10NS3
Mfr. #:
BSC060N10NS3
Hersteller:
INFINEON
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSC060N10NS3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
INFINEON
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
OptiMOS 3
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GXT SP000446584
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
OptiMOS
Paket-Koffer
TDSON-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Quad Drain Triple Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
125 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
16 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
90 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
45 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
BSC060N10NS3, BSC060N, BSC060, BSC06, BSC0, BSC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # BSC060N10NS3GATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 5000:$1.3425
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # BSC060N10NS3GATMA1CT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.5423
  • 500:$1.8614
  • 100:$2.3932
  • 10:$2.9780
  • 1:$3.3000
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # BSC060N10NS3GATMA1DKR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.5423
  • 500:$1.8614
  • 100:$2.3932
  • 10:$2.9780
  • 1:$3.3000
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # 79X1333		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 100V, 90A, PG-TDSON- 8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:90A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.0053ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes3172
  • 1:$2.7700
  • 10:$2.3500
  • 25:$2.1900
  • 50:$2.0400
  • 100:$1.8800
  • 250:$1.7700
  • 500:$1.6500
  • 1000:$1.3700
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # 726-BSC060N10NS3GATM		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.7700
  • 10:$2.3500
  • 100:$1.8800
  • 500:$1.6500
  • 1000:$1.3700
BSC060N10NS3 G
DISTI # 726-BSC060N10NS3G		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		107
  • 1:$2.7700
  • 10:$2.3500
  • 100:$1.8800
  • 500:$1.6500
  • 1000:$1.3700
BSC060N10NS3GInfineon Technologies AG14.9 A, 100 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET222
  • 200:$4.4880
  • 47:$5.0320
  • 1:$8.1600
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # 7545276		Infineon Technologies AGMOSFET N-CHANNEL 100V 14.9A TDSON8, EA217
  • 1:£2.0000
  • 50:£1.1800
  • 250:£0.8900
  • 1250:£0.8200
  • 2500:£0.7700
BSC060N10NS3GATMA1
DISTI # 7545276P		Infineon Technologies AGMOSFET N-CHANNEL 100V 14.9A TDSON8, RL4546
  • 50:£1.1800
  • 250:£0.8900
  • 1250:£0.8200
  • 2500:£0.7700
BSC060N10NS3GInfineon Technologies AG 219
    BSC060N10NS3G  1582
      BSC060N10NS3GATMA1
      DISTI # 2432708      		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100V, 90A, TDSON-8
      RoHS: Compliant      		3172
      • 1:$4.3800
      • 10:$3.7200
      • 100:$2.9800
      • 500:$2.6200
      • 1000:$2.1700
      • 2500:$2.0100
      • 5000:$1.9500
      BSC060N10NS3GATMA1
      DISTI # 2432708RL      		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100V, 90A, TDSON-8
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:$4.3800
      • 10:$3.7200
      • 100:$2.9800
      • 500:$2.6200
      • 1000:$2.1700
      • 2500:$2.0100
      • 5000:$1.9500
      BSC060N10NS3GATMA1
      DISTI # 2432708      		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100V, 90A, TDSON-8
      RoHS: Compliant      		2003
      • 1:£1.3700
      • 10:£1.1300
      • 100:£0.8810
      • 250:£0.8630
      • 500:£0.8460
      Bild Teil # Beschreibung
      BSC060N10NS3 G

      Mfr.#: BSC060N10NS3 G

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS3-G

      		 MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
      BSC060P03NS3EGATMA1

      Mfr.#: BSC060P03NS3EGATMA1

      OMO.#: OMO-BSC060P03NS3EGATMA1

      		 MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
      BSC0600NS

      Mfr.#: BSC0600NS

      OMO.#: OMO-BSC0600NS-1190

      		 Neu und Original
      BSC060N10NS

      Mfr.#: BSC060N10NS

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS-1190

      		 Neu und Original
      BSC060N10NS3

      Mfr.#: BSC060N10NS3

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS3-1190

      		 Neu und Original
      BSC060N10NS3 G

      Mfr.#: BSC060N10NS3 G

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS3-G-1190

      		 MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
      BSC060N10NS3G

      Mfr.#: BSC060N10NS3G

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS3G-1190

      		 Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON T/R (Alt: BSC060N10NS3 G)
      BSC060N10NS3GATMA1

      Mfr.#: BSC060N10NS3GATMA1

      OMO.#: OMO-BSC060N10NS3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
      BSC060P03NS3E G

      Mfr.#: BSC060P03NS3E G

      OMO.#: OMO-BSC060P03NS3E-G-1190

      		 Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP
      BSC060P03NS3EG

      Mfr.#: BSC060P03NS3EG

      OMO.#: OMO-BSC060P03NS3EG-1190

      		 -30V,-17.7A,P-channel power MOSFET
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2000
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      0,00 $
      10
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      0,00 $
      100
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      0,00 $
      500
      0,00 $
      0,00 $
      1000
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