2SA1036KT146P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

82 at 100 mA, 3 V

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

2SA1036KT146P, 2SA1036KT, 2SA1036K, 2SA1036, 2SA103, 2SA10, 2SA1, 2SA