STI10NM60N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STI10NM60N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

STI10, STI1, STI