AUIRFS4115-7P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

105 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

110 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

380 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

93 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Teil # Aliase:

SP001519772

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

AUIRFS411, AUIRFS41, AUIRFS4, AUIRFS, AUIRF, AUIR, AUI