STN2NE10L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

STN2NE10L

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.5 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

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