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IPL60R115CFD7AUMA1

IPL60R115CFD7AUMA1
Mfr. #:
IPL60R115CFD7AUMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET HIGH POWER_NEW
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPL60R115CFD7AUMA1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IPL60R115CFD7AUMA1 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VSON-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
115 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
42 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
124 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
3.8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
12 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
25 ns
Teil # Aliase:
IPL60R115CFD7 SP001715632
Tags
IPL60R1, IPL60, IPL6, IPL
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
CFD7 CoolMOS™ MOSFETs
Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power SMPS applications include server, telecom and EV charging stations.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPL60R115CFD7AUMA1
DISTI # V99:2348_21592746		Infineon Technologies AGIPL60R115CFD7AUMA10
    IPL60R115CFD7AUMA1
    DISTI # V72:2272_21592746    		Infineon Technologies AGIPL60R115CFD7AUMA10
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # IPL60R115CFD7AUMA1-ND      		Infineon Technologies AGHIGH POWER_NEW
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$2.6954
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # IPL60R115CFD7AUMA1      		Infineon Technologies AGHIGH POWER_NEW - Tape and Reel (Alt: IPL60R115CFD7AUMA1)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 18000:$2.3900
      • 30000:$2.3900
      • 12000:$2.4900
      • 6000:$2.5900
      • 3000:$2.6900
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # 71AC0390      		Infineon Technologies AGMOSFET, 600V, 22A, 150DEG C, 124W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:22A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.094ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,Power RoHS Compliant: Yes400
      • 1000:$2.7200
      • 500:$3.2200
      • 250:$3.6000
      • 100:$3.7900
      • 50:$3.9800
      • 25:$4.1800
      • 10:$4.3700
      • 1:$5.1400
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # 726-IPL60R115CFD7AUM      		Infineon Technologies AGMOSFET HIGH POWER_NEW
      RoHS: Compliant      		371
      • 1:$5.0900
      • 10:$4.3300
      • 100:$3.7500
      • 250:$3.5600
      • 500:$3.1900
      • 1000:$2.6900
      • 3000:$2.5600
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # 2916125      		Infineon Technologies AGMOSFET, 600V, 22A, 150DEG C, 124W
      RoHS: Compliant      		400
      • 1000:$3.7600
      • 500:$3.9400
      • 250:$4.1500
      • 100:$4.3800
      • 10:$4.9600
      • 1:$5.3000
      IPL60R115CFD7AUMA1
      DISTI # 2916125      		Infineon Technologies AGMOSFET, 600V, 22A, 150DEG C, 124W400
      • 500:£2.3400
      • 250:£2.6100
      • 100:£2.7500
      • 10:£3.1700
      • 1:£4.1400
      Bild Teil # Beschreibung
      UCC27511AQDBVRQ1

      Mfr.#: UCC27511AQDBVRQ1

      OMO.#: OMO-UCC27511AQDBVRQ1

      		 Gate Drivers Sngl-Ch high-Spd Low-Side Gate Driver
      STL26N60DM6

      Mfr.#: STL26N60DM6

      OMO.#: OMO-STL26N60DM6

      		 MOSFET N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
      STL33N60DM2

      Mfr.#: STL33N60DM2

      OMO.#: OMO-STL33N60DM2

      		 MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
      SN74LVC1G04DBVR

      Mfr.#: SN74LVC1G04DBVR

      OMO.#: OMO-SN74LVC1G04DBVR

      		 Inverters Single
      SN74LVC1G11DBVR

      Mfr.#: SN74LVC1G11DBVR

      OMO.#: OMO-SN74LVC1G11DBVR

      		 Logic Gates Sngl 3 Inpt Pos AND Gate
      47

      Mfr.#: 47

      OMO.#: OMO-47

      		 Lamps 6.3V .15A
      RC0603FR-07619KL

      Mfr.#: RC0603FR-07619KL

      OMO.#: OMO-RC0603FR-07619KL

      		 Thick Film Resistors - SMD 619K OHM 1%
      RT0603BRD0712K1L

      Mfr.#: RT0603BRD0712K1L

      OMO.#: OMO-RT0603BRD0712K1L

      		 Thin Film Resistors - SMD 1/10W 12.1K ohm .1% 25ppm
      SN74LVC1G04DBVR

      Mfr.#: SN74LVC1G04DBVR

      OMO.#: OMO-SN74LVC1G04DBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

      		 Inverters Single
      SN74LVC1G11DBVR

      Mfr.#: SN74LVC1G11DBVR

      OMO.#: OMO-SN74LVC1G11DBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      351
      Auf Bestellung:
      2334
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von IPL60R115CFD7AUMA1 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      5,09 $
      5,09 $
      10
      4,33 $
      43,30 $
      100
      3,75 $
      375,00 $
      250
      3,56 $
      890,00 $
      500
      3,19 $
      1 595,00 $
      1000
      2,69 $
      2 690,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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