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STI12N65M5

STI12N65M5
Mfr. #:
STI12N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
STI12N65M5 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
STI12N65M5 Mehr Informationen STI12N65M5 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
STMicroelectronics
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
8.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
430 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
25 V
Qg - Gate-Ladung:
20 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
70 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
STD12N65M5
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
STMicroelectronics
Abfallzeit:
15.6 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
17.6 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Gewichtseinheit:
0.050717 oz
Tags
STI12, STI1, STI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
***ark
Mosfet, N Ch, 650V, 8.5A, I2pak
***nell
MOSFET, N CH, 650V, 8.5A, I2PAK
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 650V, 8.5A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
STI12N65M5
DISTI # 497-11326-5-ND		STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Limited Supply - Call
    STI12N65M5
    DISTI # 511-STI12N65M5    		STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      STI12NM50N

      Mfr.#: STI12NM50N

      OMO.#: OMO-STI12NM50N

      		 MOSFET N-Ch, 500V-0.29ohms Mdmesh 11A
      STI12N65M5

      Mfr.#: STI12N65M5

      OMO.#: OMO-STI12N65M5

      		 MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh
      STI12N65M5

      Mfr.#: STI12N65M5

      OMO.#: OMO-STI12N65M5-STMICROELECTRONICS

      		 IGBT Transistors MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh
      STI1206-21-PG

      Mfr.#: STI1206-21-PG

      OMO.#: OMO-STI1206-21-PG-1190

      		 Neu und Original
      STI120621PG

      Mfr.#: STI120621PG

      OMO.#: OMO-STI120621PG-1190

      		 Neu und Original
      STI120NH03L

      Mfr.#: STI120NH03L

      OMO.#: OMO-STI120NH03L-1190

      		 Neu und Original
      STI12NM50N

      Mfr.#: STI12NM50N

      OMO.#: OMO-STI12NM50N-STMICROELECTRONICS

      		 MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von STI12N65M5 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
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