NTD4865N-1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.92 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

6.35 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

24.6 ns, 19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24.6 ns, 19 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11.4 ns, 17.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.3 ns, 5.4 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4865, NTD486, NTD48, NTD4, NTD