NVATS4A102PZT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

44 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

34 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

29 S

Abfallzeit:

185 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

135 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

135 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

NVATS4, NVAT, NVA