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IRF1503PBF

IRF1503PBF
Mfr. #:
IRF1503PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRF1503PBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF1503PBF DatasheetIRF1503PBF Datasheet (P4-P6)IRF1503PBF Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
130 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
330 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
Automobil-MOSFET
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
48 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
130 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
59 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Teil # Aliase:
SP001561384
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
IRF1503, IRF150, IRF15, IRF1, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***(Formerly Allied Electronics)
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 240A;TO-220AB;PD 330W;-55de
***ineon SCT
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
***ineon
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
***ment14 APAC
MOSFET, N, 30V, 240A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:3.3ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:960A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRF1503PBF
DISTI # IRF1503PBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.5874
IRF1503PBF
DISTI # 32628576		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH Si 30V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
RoHS: Compliant		19000
  • 3000:$1.4756
IRF1503PBF
DISTI # IRF1503PBF		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1503PBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tube		Americas - 0
  • 3000:$1.1900
  • 5000:$1.1900
  • 8000:$1.0900
  • 15000:$1.0900
  • 30000:$1.0900
IRF1503PBF
DISTI # 70016944		Infineon Technologies AGMOSFET,Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 2.6 Milliohms,ID 240A,TO-220AB,PD 330W,-55de
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$3.7600
  • 6000:$3.6850
  • 15000:$3.5720
  • 30000:$3.4220
  • 75000:$3.1960
IRF1503PBF
DISTI # 942-IRF1503PBF		Infineon Technologies AGMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.8000
IRF1503PBFInternational RectifierPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB35
  • 30:$2.3588
  • 9:$2.5947
  • 1:$3.5382
IRF1503PBF
DISTI # IRF1503PBF		Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,30V,240A,330W,TO220AB103
  • 1:$2.3500
  • 3:$2.1500
  • 10:$1.8200
  • 100:$1.5900
IRF1503PBFInternational Rectifier 
RoHS: Compliant		Europe - 220
    IRF1503PBF
    DISTI # XSKDRABV0021334    		Infineon Technologies AGPowerField-EffectTransistor,100AI(D),40V,0.009ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxideSemiconductorFET,TO-220AB
    RoHS: Compliant    		1985 in Stock0 on Order
    • 1985:$2.0640
    • 400:$2.2080
    IRF1503PBF
    DISTI # 8657440    		Infineon Technologies AG 
    RoHS: Compliant    		0
    • 1000:$3.0600
    • 500:$3.2900
    • 250:$3.7100
    • 100:$4.1600
    • 10:$5.1300
    • 1:$6.2300
    Bild Teil # Beschreibung
    IRF150P220XKMA1

    Mfr.#: IRF150P220XKMA1

    OMO.#: OMO-IRF150P220XKMA1

    		 MOSFET TRENCH_MOSFETS
    IRF150P221XKMA1

    Mfr.#: IRF150P221XKMA1

    OMO.#: OMO-IRF150P221XKMA1

    		 MOSFET TRENCH_MOSFETS
    IRF150P220XKMA1

    Mfr.#: IRF150P220XKMA1

    OMO.#: OMO-IRF150P220XKMA1-1190

    		 TRENCH_MOSFETS - Rail/Tube (Alt: IRF150P220XKMA1)
    IRF1503LPBF

    Mfr.#: IRF1503LPBF

    OMO.#: OMO-IRF1503LPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
    IRF1503PBF,IRF1503

    Mfr.#: IRF1503PBF,IRF1503

    OMO.#: OMO-IRF1503PBF-IRF1503-1190

    		 Neu und Original
    IRF1503STRPBF

    Mfr.#: IRF1503STRPBF

    OMO.#: OMO-IRF1503STRPBF-1190

    		 Neu und Original
    IRF150CECC

    Mfr.#: IRF150CECC

    OMO.#: OMO-IRF150CECC-1190

    		 Neu und Original
    IRF150M

    Mfr.#: IRF150M

    OMO.#: OMO-IRF150M-1190

    		 Neu und Original
    IRF150N

    Mfr.#: IRF150N

    OMO.#: OMO-IRF150N-1190

    		 Neu und Original
    IRF151

    Mfr.#: IRF151

    OMO.#: OMO-IRF151-1190

    		 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5000
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von IRF1503PBF dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    3000
    1,80 $
    5 400,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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