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IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1
Mfr. #:
IPB180N06S4H1ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB180N06S4H1ATMA1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPB180N06S4H1ATMA1 DatasheetIPB180N06S4H1ATMA1 Datasheet (P4-P6)IPB180N06S4H1ATMA1 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-7
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.3 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
270 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
250 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Serie:
XPB180N06
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
15 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
5 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Teil # Aliase:
IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4H1XT SP000415562
Tags
IPB180N06, IPB180N0, IPB180N, IPB18, IPB1, IPB
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB180N06S4H1ATMA1
DISTI # IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPB180N06S4H1ATMA1
    DISTI # IPB180N06S4H1ATMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB180N06S4H1ATMA1)
    Min Qty: 253
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 1265:$1.1900
    • 2530:$1.1900
    • 506:$1.2900
    • 759:$1.2900
    • 253:$1.3900
    IPB180N06S4H1ATMA1
    DISTI # 85X6019    		Infineon Technologies AGMOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes0
      IPB180N06S4-H1
      DISTI # 726-IPB180N06S4-H1      		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
      RoHS: Compliant      		0
        IPB180N06S4H1ATMA1
        DISTI # 726-IPB180N06S4H1XT        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
        RoHS: Compliant        		0
          IPB180N06S4H1ATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263
          RoHS: Compliant          		14
          • 1000:$1.3000
          • 500:$1.3700
          • 100:$1.4300
          • 25:$1.4900
          • 1:$1.6000
          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385RL          		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant          		0
          • 5000:$1.9900
          • 2000:$2.0300
          • 1000:$2.0600
          • 500:$2.1700
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          • 10:$2.7900
          • 1:$2.9900
          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385          		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant          		23
          • 5000:$1.9900
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          IPB180N06S4H1ATMA1
          DISTI # 2443385          		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7
          RoHS: Compliant          		13
          • 500:£1.0600
          • 250:£1.0700
          • 100:£1.0800
          • 10:£1.1100
          • 1:£1.1300
          Bild Teil # Beschreibung
          IPB180N06S4H1ATMA2

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA2

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA2

          		 MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
          IPB180N06S4H1ATMA1

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA1

          		 MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
          IPB180N06S4H1ATMA1

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
          IPB180N06S4-H1

          Mfr.#: IPB180N06S4-H1

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-H1-1190

          		 MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
          IPB180N06S4-H1(4N06H1)

          Mfr.#: IPB180N06S4-H1(4N06H1)

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-H1-4N06H1--1190

          		 Neu und Original
          IPB180N06S4-HI

          Mfr.#: IPB180N06S4-HI

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4-HI-1190

          		 Neu und Original
          IPB180N06S4H1ATMA2

          Mfr.#: IPB180N06S4H1ATMA2

          OMO.#: OMO-IPB180N06S4H1ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES

          		 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
          Verfügbarkeit
          Aktie:
          Available
          Auf Bestellung:
          4000
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