RQ3E150MNTB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HSMT-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

RQ3E150M, RQ3E150, RQ3E15, RQ3E1, RQ3E, RQ3