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TGF3020-SM

TGF3020-SM
Mfr. #:
TGF3020-SM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF3020-SM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF3020-SM Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
GaN SiC
Verpackung:
Tablett
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
20
Unterkategorie:
MOSFETs
Teil # Aliase:
1121726
Tags
TGF3020-S, TGF3020, TGF302, TGF30, TGF3, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, 4 to 6 GHz, 5 W, 12.7 dB, 32 V, GaN, Plastic, RF Input-Matched
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF3020-SMEVBP01
DISTI # TGF3020-SMEVBP01		QorvoTGF3020-SM 4GHz to 6GHz GaN RF Input-Matched Transistor Evaluation Board (Alt: TGF3020-SMEVBP01)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Asia - 0
    TGF3020-SM
    DISTI # 772-TGF3020-SM    		QorvoRF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
    RoHS: Compliant    		146
    • 1:$45.0000
    • 25:$40.0000
    • 100:$35.0000
    • 250:$32.0000
    TGF3020-SM EVAL BOARD
    DISTI # 772-TGF3020-SMEB    		QorvoRF Development Tools 4-6GHz 5Watt GaN Eval Board
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$875.0000
    TGF3020-SM-EVB1
    DISTI # 772-TGF3020-SM-EVB1    		QorvoRF Development Tools
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$875.0000
    Bild Teil # Beschreibung
    GRF2013

    Mfr.#: GRF2013

    OMO.#: OMO-GRF2013

    		 RF Amplifier .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB
    FDMS8050ET30

    Mfr.#: FDMS8050ET30

    OMO.#: OMO-FDMS8050ET30

    		 MOSFET FET 30V 0.65 MOHM PQFN56
    VNLD5160TR-E

    Mfr.#: VNLD5160TR-E

    OMO.#: OMO-VNLD5160TR-E

    		 Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFET III: fully protected low-side driver
    LMR33630CDDA

    Mfr.#: LMR33630CDDA

    OMO.#: OMO-LMR33630CDDA

    		 Switching Voltage Regulators 36V 3A 2.1MHZ REGULATOR
    MPM3515GQV-Z

    Mfr.#: MPM3515GQV-Z

    OMO.#: OMO-MPM3515GQV-Z

    		 Switching Voltage Regulators 1.5A 4-36V Step Down Power Module
    573400D00010G

    Mfr.#: 573400D00010G

    OMO.#: OMO-573400D00010G

    		 Heat Sinks Surface Mount Stamped Heatsink for D3Pak, TO-268 for D3PAK, TO-268, Horizontal Mounting, 11 n Thermal Resistance, 30.99mm, Tape and Reel
    MDT420M01001

    Mfr.#: MDT420M01001

    OMO.#: OMO-MDT420M01001

    		 PCI Express / PCI Connectors 67P SMT RCPT H4.20 M Key, 30u" Au
    LMR33630CDDA

    Mfr.#: LMR33630CDDA

    OMO.#: OMO-LMR33630CDDA-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SOPWR
    MLF2012DR10MT000

    Mfr.#: MLF2012DR10MT000

    OMO.#: OMO-MLF2012DR10MT000-TDK

    		 Fixed Inductors
    573400D00010G

    Mfr.#: 573400D00010G

    OMO.#: OMO-573400D00010G-AAVID-THERMALLOY

    		 Heat Sink Passive D3 PAK/TO-268 SMD
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    92
    Auf Bestellung:
    2075
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    45,00 $
    45,00 $
    25
    40,00 $
    1 000,00 $
    100
    35,00 $
    3 500,00 $
    250
    32,00 $
    8 000,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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