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IXGK50N60C2D1

IXGK50N60C2D1
Mfr. #:
IXGK50N60C2D1
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 50 Amps 600V 2.5V Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXGK50N60C2D1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXGK50N60C2D1 DatasheetIXGK50N60C2D1 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-264-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXGK50N60
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
75 A
Höhe:
26.16 mm
Länge:
19.96 mm
Breite:
5.13 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
75 A
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.352740 oz
Tags
IXGK50N6, IXGK50, IXGK5, IXGK, IXG
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 600V 75A 480W TO264AA
***th Star Micro
IGBT 75A 600V TO-264AA
***el Nordic
Contact for details
***ical
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 64A 460000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
***i-Key
IGBT 600V 460W TO264
***el Nordic
Contact for details
***i-Key
IGBT 600V 75A 540W TO264
***el Nordic
Contact for details
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
***ure Electronics
IXGK72N60B3H1 Series 600 V 75 A Through Hole GenX3TM IGBTs w/ Diode
***i-Key
IGBT 600V 75A 540W TO264
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
***rochip
IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
***th Star Micro
Insulated Gate Bipolar Transistor-Trench Fieldstop Low Frequ
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
***et
Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3+Tab) TO-264
***rochip
IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 68 A TO-264
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 121A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
***th Star Micro
Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
***rochip
IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 198A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXGK50N60C2D1
DISTI # IXGK50N60C2D1-ND		IXYS CorporationIGBT 600V 75A 480W TO264AA
RoHS: Compliant
Min Qty: 25
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 25:$9.5788
IXGK50N60C2D1
DISTI # 747-IXGK50N60C2D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 50 Amps 600V 2.5V Rds
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    IXGK50N90B2D1

    Mfr.#: IXGK50N90B2D1

    OMO.#: OMO-IXGK50N90B2D1

    		 IGBT Transistors 50 Amps 600V 3 Rds
    IXGK50N60A2D1

    Mfr.#: IXGK50N60A2D1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60A2D1-1190

    		 Neu und Original
    IXGK50N60AU1

    Mfr.#: IXGK50N60AU1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60AU1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 300W TO264AA
    IXGK50N60AUI

    Mfr.#: IXGK50N60AUI

    OMO.#: OMO-IXGK50N60AUI-1190

    		 Neu und Original
    IXGK50N60AUL

    Mfr.#: IXGK50N60AUL

    OMO.#: OMO-IXGK50N60AUL-1190

    		 Neu und Original
    IXGK50N60B2D1

    Mfr.#: IXGK50N60B2D1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60B2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 400W TO264
    IXGK50N60A2U1

    Mfr.#: IXGK50N60A2U1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60A2U1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 75A 400W TO264AA
    IXGK50N60BU1

    Mfr.#: IXGK50N60BU1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60BU1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.3 Rds
    IXGK50N60C2D1

    Mfr.#: IXGK50N60C2D1

    OMO.#: OMO-IXGK50N60C2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors 50 Amps 600V 2.5V Rds
    IXGK50N90B2D1

    Mfr.#: IXGK50N90B2D1

    OMO.#: OMO-IXGK50N90B2D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors 50 Amps 600V 3 Rds
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3500
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    Der aktuelle Preis von IXGK50N60C2D1 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    25
    9,58 $
    239,50 $
    50
    8,75 $
    437,50 $
    100
    8,65 $
    865,00 $
    250
    7,88 $
    1 970,00 $
    500
    7,24 $
    3 620,00 $
    1000
    6,31 $
    6 310,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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