ISP12DP06NMXTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 2.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 20.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

4.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ISP06P008

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.2 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

ISP12DP06NM SP004987268

Tags

ISP12, ISP1, isp