ZVN3306ASTOA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

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