SP8M70TB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A, 2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.25 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V, 4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

5.2 nC, 8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SP8M70

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

25 ns, 20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 9 ns

Teil # Aliase:

SP8M70

Tags

SP8M7, SP8M, SP8