SSVPZT751T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

PZT751

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

75 at 50 mA, 2 V, 75 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 40 at 2 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

SSVP, SSV