2PA1576Q,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 1 mA, 6 V

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.35 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2PA1576Q T/R

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

2PA1576Q, 2PA157, 2PA15, 2PA1, 2PA