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TBD62387AFNG,EL

TBD62387AFNG,EL
Mfr. #:
TBD62387AFNG,EL
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Gate Drivers DMOS Transistor Array 8-CH 50V 0.5A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TBD62387AFNG,EL Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TBD62387AFNG,EL DatasheetTBD62387AFNG,EL Datasheet (P4-P6)TBD62387AFNG,EL Datasheet (P7-P9)TBD62387AFNG,EL Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TBD62387AFNG,EL Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Gate-Treiber
RoHS:
Y
Produkt:
Treiber-ICs - Verschiedene
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SSOP-20
Anzahl der Fahrer:
8 Driver
Anzahl der Ausgänge:
8 Output
Ausgangsstrom:
500 mA
Versorgungsspannung - Min.:
4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:
5.5 V
Betriebsversorgungsstrom:
60 uA
Pd - Verlustleistung:
960 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Spule
Ausgangsspannung:
50 V
Technologie:
Si
Marke:
Toshiba
Logiktyp:
CMOS
Stilllegen:
Keine Abschaltung
Maximale Ausschaltverzögerungszeit:
0.6 us
Maximale Einschaltverzögerungszeit:
0.6 us
Produktart:
Gate-Treiber
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
3.25 Ohms
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
PMIC - Power-Management-ICs
Tags
TBD62387AF, TBD62387, TBD6238, TBD623, TBD62, TBD6, TBD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
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    2019-07-18
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    2019-09-21
TBD62x DMOS FET Transistor Arrays
Toshiba TBD62x DMOS FET Transistor Arrays are equipped with 7-channel and 8-channel common source power DMOS array. The Doubled-Diffused MOSFET (DMOS FET) type sink-output driver allows high voltage and consumes less power due to reduced on-resistance of the output stage. These TBD62x transistor arrays feature 50V high output voltage, -0.5A high output current, and high efficiency. The transistor arrays operate from -40°C to 85°C temperature range and supports -55°C to 150°C storage temperature range. These TBD62x transistor arrays are available in through-hole and surface-mount packages.
Bild Teil # Beschreibung
OPA172IDR

Mfr.#: OPA172IDR

OMO.#: OMO-OPA172IDR

 Operational Amplifiers - Op Amps 36V SGL-Supply 10-MHz RRO Op Amp
TBD62783AFNG,EL

Mfr.#: TBD62783AFNG,EL

OMO.#: OMO-TBD62783AFNG-EL

 Gate Drivers DMOS Transistor Array 8-CH, 50V/0.5A
1N4148

Mfr.#: 1N4148

OMO.#: OMO-1N4148

 Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
LT1790BCS6-2.5#TRMPBF

Mfr.#: LT1790BCS6-2.5#TRMPBF

OMO.#: OMO-LT1790BCS6-2-5-TRMPBF

 Voltage References 0.10% 25ppm uP SOT-23 Ref
RK7002BMT116

Mfr.#: RK7002BMT116

OMO.#: OMO-RK7002BMT116

 MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
RDER71H103K0K1H03B

Mfr.#: RDER71H103K0K1H03B

OMO.#: OMO-RDER71H103K0K1H03B

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded
ACM70V-701-2PL-TL00

Mfr.#: ACM70V-701-2PL-TL00

OMO.#: OMO-ACM70V-701-2PL-TL00

 Common Mode Chokes / Filters 80V 4.0A 15mOhms AEC-Q200
GRM033R6YA104KE14D

Mfr.#: GRM033R6YA104KE14D

OMO.#: OMO-GRM033R6YA104KE14D-MURATA-ELECTRONICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0201 0.10uF 35volts X5R + - 10%
RK7002BMT116

Mfr.#: RK7002BMT116

OMO.#: OMO-RK7002BMT116-ROHM-SEMI

 MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
OPA172IDR

Mfr.#: OPA172IDR

OMO.#: OMO-OPA172IDR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Operational Amplifiers - Op Amps 36V SGL-Supply 10-MHz RRO Op Amp
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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10
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11,20 $
100
0,86 $
86,10 $
500
0,76 $
380,50 $
1000
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