ZDT758TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 400 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

2.75 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT758, ZDT75, ZDT7, ZDT