DMC2990UDJ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

450 mA, 310 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

990 mOhms, 1.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

0.5 nC, 0.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC2990

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6.4 ns, 16.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.3 ns, 5.7 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 31.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns, 5.8 ns

Tags

DMC2990UDJ-7, DMC29, DMC2, DMC