TSM6866SDCA RVG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.04 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

2000 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

210 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

3700 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

140 ns

Gewichtseinheit:

0.006737 oz

Tags

TSM6866SDCAR, TSM6866S, TSM686, TSM68, TSM6, TSM