ZXT790AKTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 260 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXT790

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

6.22 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 80 at 3 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

3900 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.009185 oz

Tags

ZXT790A, ZXT79, ZXT7, ZXT