NVMD6N03R2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

24 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

NVMD6N, NVMD6, NVMD, NVM