ZDT694TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

120 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

130 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZDT694

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

2.75 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT694T, ZDT694, ZDT69, ZDT6, ZDT